本研究针对传统SnO2薄膜沉积工艺存在的低生长速率、高杂质含量及高温结晶难题，采用Sn(dmamp)2和H2O2的原子层沉积(ALD)技术，实现了高纯度、低电阻率SnO2薄膜的低温制备（200℃），生长速率达0.11-0.15 nm/cycle，并成功将其作为模板诱导金红石TiO2生长，使MIM电容器介 ...
这篇研究报道了一种三维镍中空纤维（Ni HF）负载晶面取向SnO2纳米花的新型电极（SnO2@Ni HF），在-1.1 V（vs. RHE）条件下实现了1.3 A cm?2电流密度和94%甲酸盐选择性，并保持300小时稳定性。通过增强三相界面反应动力学和暴露SnO2(101)晶面，该电极突破性实现85% CO2单程 ...
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果
反馈