China’s Top DRAM Maker CXMT Seeks $4.2 Billion in Shanghai IPO to Fund Tech Upgrades

TMTPOST -- China’s leading dynamic random-access memory (DRAM) chipmaker, ChangXin Memory Technologies (CXMT) Corp, said on Tuesday it plans to raise 29.5 billion yuan ($4.22 billion) through an ...

全球存储芯片产业转移：美国、日本、韩国、中国

全球存储技术起源于美国，此后经历了两次区域转移。1969 年，美国加州 Advanced Memory System 公司成功生产出世界上首款 DRAM ...

3D DRAM，蓄势待发

3D ...

DRAM，下一步是什么？

对于传统DRAM未来的发展，如Techinsights所说，到目前为止，我们已经看到了 8F2 和 6F2 DRAM Cell设计，其中 unit cell包括 1T（晶体管）和 1C（电容器）。这种 1T+1C 单元设计将用于未来几代 DRAM 的 DRAM 单元设计。然而，由于工艺和布局的限制，DRAM 厂商一直在开发 4F2 单元结构，例如 1T DRAM 或无电容器 DRAM ...
电子工程专辑

MEMORY系列之“DRAM概述”

本文主要介绍DRAM的存储原理、存储电容、存储结构等内容，后续会针对SDRAM和DDR等具体类型进行详细介绍。 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。 主存DRAM由大至小，由上往下可做以下拆分：channel ...

美国ITC正式对动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件 ...

美国国际贸易委员会将于立案后 45 天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在 337 案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第 60 日起具有终局效力。